3月28日消息，据荷兰媒体Bits ?& Chips报导，光刻机大厂ASML确认，其新推出的第三代的标准型（0.33 NA）EUV光刻机NXE:3800E导入了部分下一代High-NA EUV光刻机的技术，工作效率提升。

本月中旬，ASML已开始对外交货NXE:3800E，虽然还是0.33数值孔径透镜，但性能和精度相比上一代有了进一步的提升，晶圆处理速度也达到了每小时处理195片晶圆，相比NXE:3600D每小时约160片的处理速度提升了22%，并且有可能提高到每小时220片。新设备可达到小于1.1nm的晶圆对准精度。可以支持未来几年内的3nm及2nm芯片制造。

ASML表示，下代High-NA高数值孔径EUV将采用更宽光锥，在EUV反射镜撞击角度更宽，晶圆曝光时导致光损失，因此ASML提高光学系统放大倍率，将光线入射角调回合适大小。不过光罩尺寸不变，增加光学系统放大倍率，会因曝光场减少影响晶圆量。ASML仅一个方向将放大倍数从四倍提升至八倍，使曝光场仅缩小一半。为了降低曝光时间，提升工作效率，则有必要提升High-NA EUV光刻机的工件台的运动速率。

与此同时ASML工程师开发同时兼容0.33NA数值孔径系统的新款快速工件台运动系统，对NXE:3800E来说，光学元件与之前的NXE:3600D机型基本相同，其工作效率的提升来自每次曝光时晶圆移动速度的提升。与NXE:3600D相比，NXE:3800E的工件台移动速度提升了两倍，曝光步骤总时间也减少了约一半。

NXE:3800E效率的提升，也将使得其能耗得到节省，ASML发言人表示，NXE:3800E整体能耗可节省约20%~25%。

编辑：芯智讯-浪客剑