​当地时间4月3日，存储芯片大厂SK海力士正式宣布，将投资38.7亿美元在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器的HBM（高带宽内存）的先进封装生产基地，预计将于2028年下半年开始量产。同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。

需要指出的是，该厂将不会生产DRMA晶圆，而是从其他地方（如韩国SK海力士晶圆厂）获得这些DRAM晶圆，然后通过堆叠裸晶封装HBM。

目前大多数用于AI和高性能运算的最先进处理器都采用了HBM內存，如AMD MI300系列和英伟达H100/H200、B100/B200系列产品。该工厂预期成本将大幅超越英特尔、台积电封装厂成本，加上HBM4和HBM4E內存堆叠将采用2048位界面，比现有HBM3、HBM3E复杂，因此需要更复杂的封装设备。因此，预期SK海力士印第安纳州厂投产后，将成为世界上最先进的半导体封装工厂之一。

当天，SK集团由SK美洲对外合作主管副会长俞柾准、SK海力士CEO郭鲁正、P?&T担当副社长崔宇镇等高层人士与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动，并发表了上述计划。

SK海力士表示：“印第安纳州工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于AI的存储器产品。公司将以此领先激活全球AI半导体供应链。”还补充道：“通过在印第安纳州建设的生产基地和R?&D设施，将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。”

在去年AI需求爆发的同时，HBM等超高性能存储器的需求剧增，半导体先进封装的重要性也随之凸显。而SK海力士在用于AI的存储器市场占据了领导地位，随后为了加强技术领导力考虑在美国投资先进后端工艺领域，并寻找最合适的地点。美国聚集了AI领域的大型科技客户，也在积极推进先进后端工艺方面的技术研究。

SK海力士称，公司经过评估多处候选地点，最终选择印第安纳州为投资地。印第安纳州政府积极推进招商引资，并且该地区拥有了丰富的半导体生产所需的制造基础设施，还有以半导体等先进研究而闻名的普渡大学等因素获得了高度评价。

印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆（Eric Holcomb）表示：“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展”。

参议员托德·杨（Todd Young）表示感谢道：“SK海力士即将在美国成为一个知名企业。美国政府的半导体法案为印第安纳州的发展提供了契机，SK海力士将协力构建我们的尖端技术未来。”

普渡大学校长蒋濛（Mung Chiang）说：“SK海力士是用于AI的存储器领域全球开拓者，也是主导市场的领导者。此次投资展示了印第安纳州和普渡大学在先进半导体领域的竞争力，是在美国完善数字化供应链的里程碑式事件。”

SK海力士CEO郭鲁正对印第安纳州和普渡大学的支持表示感谢，并表示：“很高兴能够在半导体业界首次在美国建设先进封装生产设施。通过此次投资，公司将为了应对日益升级的客户需求和期待，提供量身定做的（Customized）存储器产品。”

SK海力士与印第安纳州建立地区社会发展伙伴关系的同时，也将为普渡研究财团、地区非营利组织和慈善组织的活动提供支持。

另外，SK海力士还将顺利推进已计划的韩国国内投资项目。公司将投资120万亿韩元建设的龙仁半导体集群目前正在进行用地在建工程。SK海力士计划在明年3月开工建造第一座工厂，并于2027年初完工。而且还将建造“迷你工厂”以此加强材料、零部件、设备生态系统。

编辑：芯智讯-浪客剑