5月6日消息，据外媒报道，DRAM內存发明人Robert Dennard于2024年4月23日逝世，享年91岁。

IBM官网指出，Robert Dennard于1932年9月5日出生于美国得州特雷尔，1958年获卡内基理工学院电气工程博士学位，加入IBM担任研究员。早年任职IBM，研究金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）设计和电路应用，1960年代內存需求日渐提升，主流磁芯随机存取內存却面临密度、成本、性能极限。

Robert Dennard从事金属氧化物半导体（MOS）內存开发，但速度过慢、消耗过大芯片面积，偶然下Robert Dennard脑中浮现灵感，觉得可用单晶体管电容器带电正负记录数据，反复充电达成数据动态更新，测试成功后就是日后DRAM內存的基础。

Robert Dennard和IBM于1968年获得了DRAM专利，该技术在1970年投入商用后，以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯随机存取內存迅速退出市场，并推动了信息电信技术的快速进步。另外，DRAM內存还与第一批低成本微处理器一同加速了电脑的小型化，以Apple II为代表的早期个人电脑得以在商业上获得成功，也为现在的行动设备打开了市场。

Robert Dennard还提出了著名的“登纳德缩放”定律，即指晶体管越来越小，功率密度将保持不变，因此功率消耗与面积成反比，电压和电流与长度成反比。实际上目前通过芯片制程工艺的提升，来提升芯片的性能和能效也正是利用了这一特性。这条规律统治半导体业界30多年，与摩尔定律、阿姆达尔定律并称半导体产业三大定律。

编辑：芯智讯-林子