6月20日消息，据市场研究机构TrendForce的最新报告指出，DRAM和NAND闪存的现货价格不太可能很快上涨，原因有两个：首先，市场上有大量库存；其次，中国政府最近打击走私翻新DRAM的行动进一步影响了DRAM的价格。

在DRAM市场，现货价格持续下跌，与合约价格形成鲜明对比。这种情况的发生是因为存储芯片模块公司的库存水平过高，这些公司往往在现货市场上购买DRAM。此外，消费类市场的疲软也导致了价格的下跌，硬件制造商也不需要从现货市场购买更多的存储芯片。

另外，中国市场对走私的打击，这导致重新定价的DRAM芯片价格进一步下跌。重新焊接是一种通过更换芯片下侧的焊球来修复DRAM芯片的技术，焊球用于将芯片连接到电路板。在许多情况下，这使它们能够再次工作，但这种芯片不如原装的新的DRAM可靠。

从现货市场价格来看，自5月底以来，DDR4 1Gx 8 2666MT/s芯片的平均现货价格下降了2.54%，仅在过去一周就从1.881美元降至1.835美元。虽然这些下降看起来并不显著，但它们是一致的。

同样，由于固态硬盘制造商（其中一些生产世界上最好的固态硬盘）的库存水平充足，现货NAND闪存市场的交易疲软，尽管现货供应商降价，但仍阻止了需求的复苏。这已经导致现货价格和合约价格之间的持续分歧。

此外，2024年第三季度库存补充的潜在需求也存在不确定性。值得注意的是，512Gb 3D TLC NAND晶片的现货价格本周下跌了0.57%，达到3.309美元。

总的来说，由于需求疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临着重大挑战。TrendForce预计，由于市场需求不强以及政府打击走私等外部压力，价格不会在短期内回升。

本周早些时候，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）停止了3D NAND存储器的减产，并将增加产量，这可能会提高市场份额。这一举措可能对3D NAND的供应和价格产生重大影响。

编辑：芯智讯-林子