近日，DRAM大厂美光宣布，其多重存取双列直插式内存模组 （multiplexed rank dual inline memory module， MRDIMM） 开始送样，让美光客户得以满足要求日益严苛的工作负载，充分发挥其计算基础设施中获得最大价值。

美光科技表示，针对内存需求高达每DIMM插槽128GB以上的应用，美光MRDIMM的性能优于目前的硅通孔型（TSV）RDIMM，达到最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能，从而加速内存密集型如虚拟化多租户、HPC和AI数据中心等的工作负载。 当前开始送样的内存产品是美光MRDIMM系列的第一代产品，可以与Intel Xeon 6处理器兼容。

MRDIMM 技术采用DDR5 的物理与电气标准，带来更先进的内存，每核心的带宽与容量双双提升，为未来计算系统做好准备，更满足数据中心工作负载日益成长的需求。与RDIMM相比，MRDIMM具有以下优势，包括内存有效带宽提升多达39%、总线效率提高15%以上、并且延迟降低高达40%。

MRDIMM支持从32GB到256GB的容量范围，采用标准和高外形 （TFF），适用于高性能 1U 和 2U 服务器。TFF 模块改进的散热设计可在相同的功率和气流下将 DRAM 温度降低多达 20 摄氏度，在数据中心实现更高效的冷却功能，并优化内存密集型工作负载的总系统任务能量。

美光采用 32Gb DRAM 芯片的行业领先的内存设计和工艺技术，使 256GB TFF MRDIMM 与使用 16Gb 芯片的 128GB TFF MRDIMM 具有相同的功率包络。256GB TFF MRDIMM 在最大数据速率下比类似容量的 TSV RDIMM 性能提高了 35%。借助 256GB TFF MRDIMM，数据中心可以比 TSV RDIMM 带来前所未有的 TCO 优势。

美光计算产品事业部副总裁兼总经理Praveen Vaidyanathan表示：“美光最新的创新主内存解决方案MRDIMM以更低的延迟提供急需的带宽和容量，以在下一代服务器平台上扩展AI推理和HPC应用。MRDIMM显著降低了每项任务的能耗，同时提供了与RDIMM相同的可靠性、可用性和可维护性功能和接口，从而为客户提供了可扩展性能的灵活解决方案。美光与行业紧密的合作确保了与现有服务器基础设施的无缝集成，并顺利过渡到未来的计算平台。”

英特尔Xeon 6 副总裁兼数据中心产品管理总经理 Matt Langman 表示：“通过利用 DDR5 接口和技术，MRDIMM 可与现有的 Xeon 6 CPU 平台无缝兼容，为客户提供灵活性和选择。MRDIMM为客户提供了更高带宽、更低延迟和容量点的全选项，适用于HPC、AI和大量工作负载，所有这些都在相同的Xeon 6 CPU平台上，也支持标准DIMM。我们的客户将受益于美光广泛的 MRDIMM 产品组合，密度从 32GB 到 256GB，以及标准和高尺寸，这些产品将通过英特尔至强 6 平台进行验证。

“随着处理器和 GPU 供应商为我们提供了成倍增加的内核，提供平衡系统性能所需的内存带宽已经滞后。美光 MRDIMM 将有助于缩小内存密集型工作负载（如 AI 推理、AI 再训练和无数高性能计算工作负载）的带宽差距，“联想副总裁兼 AI 和高性能计算总经理 Scott Tease 说。“我们与美光的合作比以往任何时候都更加紧密，专注于为我们共同的客户提供平衡、高性能、可持续的技术解决方案。”

美光 MRDIMM 现已上市，并将于 2024 年下半年批量出货。与同代 RDIMM 相比，后续几代 MRDIMM 将继续提供高达 45% 的每通道内存带宽。

编辑：芯智讯-浪客剑