9月8日消息，据彭博社引述消息人士的话报道称，台积电位于美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月就已经开始基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，其良率已经与台积电位于中国台湾的南科厂良率相当。台积电表示，项目照计划进行，并且进展良好。

根据规划，台积电将在美国亚利桑那州凤凰城建设三座晶圆厂，其中晶圆一厂（Fab21）是4nm制程晶圆厂，晶圆二厂则是3nm晶圆厂。此前由于缺乏熟练工人等问题，导致晶圆一厂的量产时间从2024年推迟到了2025年，晶圆二厂的量产时间也由原定的2026年推迟到了2028年。两座晶圆厂完工后，合计将年产超过60万片晶圆，换算至终端产品市场价值预估超过400亿美元。

此外，台积电还将在亚利桑那州建设第三座晶圆厂，预计将在21世纪20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先进的制程技术进行芯片生产。

台积电这三座晶圆厂的总投资将会达到650亿美元。为此，美国政府已经承诺将依据《芯片与科学法案》为台积电提供66亿美元补贴。

根据此前的传闻显示，台积电美国亚利桑那州晶圆一厂在今年4月中旬完成了第一条生产线的架设，并开始接电并投入第一批晶圆试产。而根据彭博社最新的报道来看，基于该生产线的第一批试产的4nm晶圆良率如果与南科厂良率相当，那么表明其后续如果量产，良率将不是问题。

另外，按照晶圆一厂从试产到量产约6.5个月、验证一个月估算，台积电有机会在今年底就完成量产所有准备，那么明年上半年将实现量产。预计届时苹果、英伟达、AMD、高通等美国芯片设计大厂都将会下单。

编辑：芯智讯-浪客剑