10月10日消息，ASML 新任首席执行官 Christophe Fouquet 近日在SPIE大会上介绍了ASML的High NA EUV光刻机，并表示英特尔的第二套 High NA EUV光刻机已经组装完成。

Christophe Fouquet表示，High NA EUV光刻机将不太可能像当前标准EUV光刻机那样出现延迟交货的情况，其原因是ASML找到了组装扫描仪子组件的新方法，就是直接在客户工厂进行安装，无需经历拆卸及再组装的过程，这将大大节省ASML与客户之间的时间和成本，有助于加快High NA EUV光刻机的发货和交货。

英特尔院士兼曝光技术总监Mark Phillips在Christophe Fouquet之后的演讲中也表示，英特尔已经在波特兰工厂完成了两套的High NA EUV光刻系统的安装。

此外，Mark Phillips 还公布了一些的数据，说明了 High NA EUV光刻机相对于标准EUV光刻机所带来的改进，通过High NA EUV光刻机应用出来的改善结果可能要比之前想象中还要多。

Mark Phillips 强调，由于已经有了经验，第二套 High NA EUV光刻系统的安装速度比第一个还要更快。 据称，High NA EUV光刻机所需的所有基础设施已经到位并开始运行。 用于 High NA EUV光刻机的光罩检测工作已经按计划开始进行。 因此，英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。

另外，Mark Phillips还被问到了关于CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题。 他的说法是 CAR 目前还够用，但可能在未来某个时候需要金属氧化物光阻剂。英特尔目标是要Intel 14A制程技术能在2026~2027年量产，届时将制程技术进一步进行提升。

编辑：芯智讯-林子