SK海力士推出全球首款48GB 16Hi HBM3E,下一代PCIe 6.0 SSD和UFS 5.0也正在开发中

SK海力士推出全球首款48GB 16Hi HBM3E,下一代PCIe 6.0 SSD和UFS 5.0也正在开发中

11月5日消息,在SK AI Summit 2024上,SK 海力士领先三星和美光,发布了业界首款16层堆叠(16Hi)的 HBM3E内存,并确保“技术稳定性”,计划最早在明年年初提供样品。

在几周之前,SK 海力士才推出了12层堆叠的 HBM3E内存,获得了AMD MI325X和英伟达Blackwell Ultra的合同。而最新的16层堆叠的 HBM3E内存的容量为 48GB(每个芯片 3GB)。这种密度的增加,可以使得 AI 加速器能够在8个HBM堆栈配置中拥有高达 384GB 的HBM3E容量。

SK 海力士声称,16层堆叠的 HBM3E 的AI训练性能提高了 18%,推理性能提高了 32%。与 12层对的的HMB3E一样,新的16层堆叠的HBM3E采用了 MR-MUF 等封装技术,该技术通过熔化芯片之间的焊料来连接芯片。

SK 海力士预计16层堆叠HBM3E 样品将于2025 年初准备好。然而,这种内存可能只是短暂的过渡产品,因为SK海力士计划2025下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品,16层堆叠的HBM4将会在2026年推出。

同时,SK海力士还透露,英伟达CEO黄仁勋要求其提前6个月供应HBM4,SK海力士也愿意尝试,将加强与英伟达合作。这也意味着HM4有可能提前量产。

有报道称,SK 海力士早在今年10月就已经实现了HBM4的流片。遵循传统的芯片开发生命周期,预计英伟达和AMD将在2025年第一季度/第二季度收到认证样品。

资料显示,HBM4 将通道宽度从 1024 位增加到 2048 位,同时支持超过 16 个垂直堆叠的 DRAM 芯片,每个芯片的内存高达 4GB。这将带来巨大的升级,应该足以满足即将推出的 AI GPU 的需求。

此外,SK海力士还在积极开发 PCIe 6.0 SSD、针对 AI 服务器的大容量 QLC(四层单元)eSSD 和用于移动设备的 UFS 5.0。SK海力士还在开发一种LPCAMM2模块,并使用其1c nm制程节点开发焊接的LPDDR5/6存储器。

为了克服“内存墙”,SK海力士还正在开发近内存处理 (PNM)、存内处理 (PIM) 和计算存储等解决方案。三星此前已经演示了其 PIM 版本——其中数据在内存中处理,因此数据不必移动到外部处理器。

编辑:芯智讯-浪客剑

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