当地时间12月2日，美国《联邦公报》网站公布了由美国商务部工业和安全局（BIS）修订的新的《出口管制条例》（EAR），在正式将140家中国半导体相关企业列入了实体清单的同时，还公布了对于高带宽内存（HBM）的出口管制规则。

随着生成式人工智能（AI）的持续火爆，市场对于高性能AI芯片的需求暴涨，这也直接带动了此类AI芯片内部所集成的HBM（高带宽内存）需求的爆发。所谓HBM，是指通过多个DRAM芯粒3D堆叠而成的，具备高带宽、高存储密度、低功耗和紧凑尺寸等优势。HBM往往与GPU、AI ASIC直接集成封装在一颗芯片当中，这也直接提升了数据搬运的效率，无论在AI和HPC应用中，其带来的高带宽、高容量、低时延特性，对大模型训练和推理效率的提升至关重要。

对于美国来说，为了阻止中国AI产业的发展，自2022年10月就开始出台限制政策，直接限制中国获取外部先进的AI芯片以及内部制造先进AI芯片的能力。而HBM作为高性能AI芯片所需的关键元件，自然也就成为了美国限制的一个方面。

在BIS最新公布的限制规则当中，对于之前针对存储芯片的“高级节点集成电路”限制进行了更新，加入了新的限制规则。具体来说，包括符合以下任何标准的集成电路都将受到限制：

（1） 使用非平面晶体管架构或具有16/14纳米或更小“生产”“技术节点”的逻辑集成电路；

（2） 128层或更多层的NAND存储器集成电路；或

（3） 动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，具有：（i） 存储单元面积小于0.0019µm²；或（ii）存储器密度大于0.288GB/mm²。

可以看到，新增的第三条限制就是针对先进DRAM芯片的，而HBM就是将多个先进DRAM通过TSV工艺堆叠封装在一起。

此外，新规还对HBM的出口施加了严格限制，其核心管控参数为“内存带宽密度”大于2GB/s/mm²。需要注意的是，这一标准覆盖了当前市场上几乎所有用于高性能计算的HBM产品。

新规则不仅适用于美国原产的 HBM ，同时还将限制根据先进计算外国直接产品 (FDP) 规则受 EAR 约束的外国生产的 HBM。新规中规定仅当 3A090.c 项的Memory bandwidth density小于3.3 GB/s/mm² 时，才可获得HBM例外以进行出口、再出口或转让（国内）。只有小于此参数的 HBM 才可获得例外许可授权。

此许可例外授权出口、再出口和转让（国内），前提是：(1) 出口、再出口或转让（国内）由包装场所完成，即使包装场所位于受关注的国家境内，也由美国或盟国总部的公司拥有和运营，从而减轻了对这些目的地的国家安全担忧；(2) 美国或盟国总部的公司仔细跟踪包装场所发送和返回的 HBM，并解决差异或向 BIS 报告。

按照分析，该限制将使得包括HBM2和HBM3、HBM3e等所有HBM芯片的对华出口将会受限。并且，SK海力士、美光和三星是全球主要的三家HBM供应商的相关HBM对华出口都将会受限。

不过，新增的规则只适用于单独HBM堆栈，对于整个芯片封装系统中的板载HBM则排除在外，也就是说英伟达等厂商的对华特供的AI芯片上封装的HBM是不受限制的，即英伟达的H20之类的AI芯片上封装的HBM不受该规则影响，适用于之前的针对AI芯片的 3A090a 和 3A090b规则限制，即对于性能密度和带宽的限制。

编辑：芯智讯-浪客剑