1月17日消息，随着生成式AI技术的快速发展，中国对于DRAM的需求和供应都在持续增长。市场调研机构Counterpoint Research最近发布报告指出，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）正通过技术进步与市场拓展，逐步缩短与全球头部领先DRAM企业的差距，尽管仍面临技术瓶颈与美国对华限制的挑战。

Counterpoint Research称，中国DRAM市场正在持续增长，长鑫存储将在2024年占全球DRAM总产能13%，出货量占比约6%，营收占比约3.7%，并预计在2025年产能将接近美光。至于长鑫存储目前产量和营收较低的原因，主要在于技术落后、良率低以及定价低，预期未来这个差距将逐渐缩小。

此外，长鑫存储在2024年每片晶圆的产量比竞争者少42%，预计到2025年缩小至32%。Counterpoint Research指出，长鑫存储需要成功实现高介电金属闸极（HKMG）晶体管，以改善功耗和读写速度。虽然目前其LPDDR4良率约80%，但该公司2025年的战略性产品DDR5良率尚未超过50%。

目前长鑫存储已进入需要低功耗制程的移动市场，这样才能够充分利用中国市场的庞大需求。此外，Counterpoint Research 预期，生成式AI与电动车市场的发展也正为中国內存产业带来新机遇，特别是在中低阶产品市场。

由于美国的对华进行半导体设备出口管制，中国正努力利用3D技术或通过关键零组件和材料的本地化来缩小差距。中国对中国內存产业的设备出口限制虽挑战，但促使中国加速设备与材料本土化，未来1-2年内扩展中国设备本地化仍具挑战。

Counterpoint Research研究总监MS Hwang指出，中国內存产业的崛起可能改变全球市场格局。尽管目前技术与良率方面仍存挑战，但随着生成式AI与电动车等新兴应用带来需求增长，中国有望在中低阶市场建立稳固地位。同时，持续的技术创新与国际化策略，将成为中国內存产业攻关的关键。

编辑：芯智讯-浪客剑