2月13日消息，据BusinessKorea韩国媒体报导，三星正计划将其位于中国西安的工厂升级至286层堆叠的NAND Flash闪存制程技术，以应对当前的市场低迷且日益激烈的竞争状态。

报导指出，自2023年以来，三星一直在推动西安工厂的主流128层堆叠NAND Flash快闪记忆体制程向236层堆叠技术发展。而为了提升其竞争力，三星这次决定安装一条286层堆叠的NAND Flash闪存生产线，该产线计划在上半年引进所需的新设备，并计划在下半年建立完成一条月产2,000至5,000片晶圆的产线。这项发展，预计是三星保持技术领先地位和确保长期产品竞争力策略的一部分。

资料显示，中国西安工厂是三星唯一的海外存储芯片生产基地，对该公司全球供应链至关重要，生产了该公司约40%占比NAND Flash闪存。未来升级到286层堆叠制程之后，预计将显著增强该工厂的生产能力。

此前美国拜登政府已经决定在2023年给予三星经过验证的最终用户（VEU）地位，这一地位使得三星可以在中国生产200层以上堆叠的NAND Flash闪存，进一步在美国限制向中国出口先进半导体制造设备的制裁措施下，提供了一定的回旋空间，这使三星能够在面临地缘政治紧张局势情况下，能继续在中国进行其先进的NAND Flash闪存制造流程。

报导引用市场人士的说法表示，三星在国内提升先进NAND Flash生产技术的同时，也在中国的进行相关的技术升级，这种双重策略凸显了三星企图维持在国内外的竞争优势的作法。因为自2024年下半年以来，三星一直致力于将400层堆叠的NAND Flash生产技术应用于韩国平泽一号工厂量产线，并可能在2025年下半年实现初步量产步骤。

三星日前在公布2024年第四季的业绩时表示，将加速向236层和286层堆叠的NAND Flash的生产技术发展，以确保长期的产品竞争力。然而，尽管取得了这些进步，但三星预计2025年第一季每月42万片的NAND Flash产量，仍较2024年第四季减少约25%。这主因是为了反映受价格上涨和利率上涨等经济因素，使得当前手机和PC市场需求下滑所导致的供过于求现象。不过，人工智能数据中心等市场需求仍日益成长，推动三星等专注于高效能、高容量的NAND Flash产品的生产。

编辑：芯智讯-林子