近日，存储芯片大厂铠侠 (Kioxia) 和闪迪 (Sandisk)在国际固态电路会议 (ISSCC 2025)上宣布， 率先推出了最先进的 3D NAND Flash技术，以 4.8Gb/s 的 NAND 接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。

全新 3D NAND Flash创新技术与铠侠革命性的 CBA（CMOS 直接键合到阵列）技术在 ISSCC 2025 上亮相，采用了最新的接口标准之一，用于 NAND Flash的 Toggle DDR6.0，并利用了 SCA（单独命令地址）协议、接口的新型命令地址输入方法以及PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术，这有助于进一步降低功耗。

利用这一独特的高速技术，两家公司预计，最新的第九代3D NAND Flash较目前已量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38%，NAND接口速度提升33%，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。

铠侠首席技术官 Hideshi Miyajima 表示：“随着人工智能技术的普及，产生的数据量预计将大幅增加，现代数据中心对提高能效的需求也将随之增加。铠侠坚信，这项新技术将为未来的存储解决方案提供更大容量、更高速度和更低功耗的产品（包括 SSD），并为人工智能的发展奠定基础。”

Sandisk全球战略和技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 表示：“随着人工智能的发展，客户对内存的需求也变得越来越多样化。通过我们的 CBA 技术创新，我们旨在推出在容量、速度、性能和资本效率方面提供最佳组合的产品，以满足各个细分市场客户的需求。”

铠侠和Sandisk 还分享了即将推出的第十代3D NAND Flash（BiCS FLASH™ generation 10），通过将存储层数增至332层并优化晶圆平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

铠侠和Sandisk表示，借助其独特的 CBA 技术，两家公司可以将新的 CMOS 技术与现有的存储单元技术相结合，以提供资本高效、高性能、低功耗的产品。两家公司将继续致力于开发尖端闪存技术，提供满足客户需求的定制解决方案，并为数字社会的进步做出贡献。

编辑：芯智讯-林子