三星宣布量产512GB UFS闪存,采用64层V-NAND技术

手机存储卡再见!三星宣布量产512GB UFS闪存:860MB/s

三星今天宣布,正式开始量产业内首款512GB嵌入式UFS闪存,产品将用于下一代智能手机。

据介绍,该闪存使用的是三星的64层V-NAND技术,单晶粒大小512Gb(64GB),8片和主控封装在一起。此前,三星提供的是48层V-NAND,最高256GB UFS的方案。

性能方面,标称连续读取860MB/s、写入255MB/s,随机读取42000IOPS,写入40000 IOPS,可以在6秒向SSD传完一部5GB的高清电影。

对于512GB的大容量,三星举例说,可以存储130部4K分辨率(3840×2160)的10分钟视频片段,而64GB仅能存储13部。

在新闻稿中,三星不断强调读写和容量方面相较microSD卡的巨大进步,预计巨头在未来手机上放弃这一特性也快了。

最后,三星表示,将加大64层512Gb和256Gb闪存的产能,并在未来用于SSD产品。

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