今天，高通正式发布了旗下的三款全新SOC产品，它们分别是骁龙425/435/625。其中，骁龙425是四核心设计，其余二者为八核心设计。

规格方面，骁龙425采用四核心Cortex-A53架构设计，基于28nm LP工艺制造，主频1.4GHz，GPU为Adreno 308，最高支持1600万像素摄像头以及1280×800分辨率显示屏，集成X6 LTE基带（LTE Cat.4全网通）。

其余规格还包括LPDDR3 667MHz内存、eMMC 5.1闪存、QC2.0快速充电、802.11ac无线网络以及蓝牙4.1等，未来的具体型号为MSM8917。

骁龙435则升级到了八核心Cortex-A53架构，主频1.4GHz，同样是28nm LP工艺制造，GPU为Adreno 505，最高支持2100万像素摄像头以及1080p显示屏，集成X8 LTE基带（LTE Cat.6全网通）。

其余规格还包括LPDDR3 800MHz内存、eMMC5.1闪存，QC3.0快速充电、802.11ac无线网络以及蓝牙4.1等，未来的具体型号为MSM8940。

骁龙625也是一颗八核心Cortex-A53架构产品，主频达到了2.0GHz，制造工艺为14nm LPP，GPU为Adreno 506，最高支持2400万像素摄像头以及1900×1200分辨率显示屏，集成X9 LTE基带（LTE Cat.7全网通）。

其余规格包括LPDDR3 933MHz内存、eMMC5.1闪存，QC3.0快速充电、802.11ac无线网络以及蓝牙4.1等，未来的具体型号为MSM8953。

骁龙625无论是制造工艺还是技术规格，相比联发科的Helio X10几乎都死碾压状态了，不知道联发科会推出何种产品来应对。

按照高通的产品迭代风格来看的话，上述三款产品最快会在下半年上市。

除了以上三款处理器之外，高通今天还发布了新一代X16 LTE基带芯片。

X16 LTE是迄今为止最强的基带芯片，没有之一，其理论下行速率可达1Gbps（下行LTE Cat.16，上行LTE Cat.13），是首款达到Gbps级别的基带芯片。

高通并没有公布该基带的详情，只是表示它会采用14nm工艺制造，并支持LTE-U。并且X16 采用还了新的架构适应物联网繁杂的使用情境和环境，足见高通对于物联网的重视。

理论上，它应该会在骁龙830处理器上出现，高通也表示它会在2017年正式商用。

编辑：芯智讯-林子