越来越多的爆料显示，高通下一代旗舰芯片，骁龙845的继任者将被命名将为骁龙8150，而不再是之前大家认为的骁龙855。

目前已经消息显示，骁龙8150将基于7nm工艺7nm FinFET工艺制造，由台积电代工，鉴于明年首批5G手机即将问世，预计不少厂商将选择将其与X50 5G基带配对。

此前，骁龙8150已经通过了Bluetooth SIG（蓝牙技术联盟）的认证，代号为SM8150。据悉，该芯片将首次内置独立NPU（神经网络单元）的旗舰芯片，增强AI算力。

爆料达人Roland Quandt今日在社交网络给出了骁龙8150的新料。他表示，骁龙8150将采用采用麒麟980类似的三簇CPU核心集群设计，即两个超大核心、两个大核心以及两个小核心的架构设计。

此前，骁龙8150的原型机在Geekbench的单核测试中获得了3697分，而在多核基准测试中达到了10469分。作为对比，骁龙845机型跑分最好约为单核心2400分、8900分。

早先，Roland Quandt透露，高通骁龙8150可能会在十二月初举行的年度峰会上亮相，地点是夏威夷。

来源：快科技