日前，三星率先量产了136层堆栈的第六代V-NAND闪存。而在此之前的6月份，韩国SK海力士公司也宣布研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片。不过这些还不是堆栈闪存的极限，SK海力士预计在2030年推出800 层的闪存，可以轻松制造出100-200TB容量的SSD硬盘。

在日前的FMS国际闪存会议上，存储芯片大厂SK海力士公布了他们的闪存路线图，具体如下：

• V4 72层堆栈：目前大规模量产中
• V5 96层堆栈：目前也在大规模量产中，产能即将超越V4
• V6 128层堆栈：2019年Q4季度即将规模量产
• V7 176层堆栈：2020年问世
• 500层堆栈：2025年问世，TB/wafer容量比提升30%
• 800 堆栈：2030年问世，TB/wafer容量比提升提升到100-200TB

目前SK海力士生产的128层堆栈闪存核心容量是1Tbit，176层堆栈时核心容量1.38Tbit，预计500层堆栈时核心容量可达3.9Tbit，到800层堆栈时则会高达6.25Tbit，是现在的6倍多。

当前SSD硬盘最大容量在15-16TB左右，不过三星早就有30TB以上的SSD硬盘了，按照6倍核心容量的增长来算，未来SSD硬盘未来容量可达200TB左右，这个容量要比HDD硬盘还高了，之前希捷公布的HDD硬盘路线图显示未来在HAMR等先进技术支持下，HDD硬盘也能达到100TB容量，不过那至少是2025年之后的了。