三星韩国华城存储工厂因断电事故停产，影响到底有多大？

2020年01月01日

北京时间2020年1月1日消息，三星电子公司今天表示，在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。

需要指出的，这不是三星存储工厂第一次出现停电事。根据资料显示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平泽市）的NAND闪存工厂也曾出现过停电事故，虽然停电仅持续了半小时，但依然损坏了5000~6000片晶圆，是三星当月产量的11%，预计相当于3月份的全球供应的3.5%。事后，根据预计此次事故造成了500亿韩元(约合3亿元人民币)损失。

据韩联社援引消息来源报道称，此次三星华城芯片工厂断电是因为区域电力传输电缆出现问题，目前三星部分DRAM和NAND闪存的生产已经暂停，预计需要大约两到三天时间才能全面恢复。

对于此次事故可能造成的损失，一位直接知情人士称，没有造成重大破坏，损失可能只有数百万美元。

但是，根据韩联社的说法，如果三星华城芯片工厂从停产到全面恢复还需要两到三天的时间，这就意味着将会损失最多三天的产能，而这无疑将会使得本月的DRAM和NAND产能的供应受到影响。

资料显示，三星位于韩国华城园区的工厂建造之初是用于生产系统半导体芯片，然而在建造完成之后，由于代工业务客户减少，迫使三星别转而投资生产DRAM，当时工厂每月生产4万片晶圆。随后三星第二次对于该园区进行投资，增加了生产3D NAND的产线，并于2016年底量产，每月生产4万片晶圆。之后第三次投资生产10nm系统半导体芯片，每月生产2.5万片晶圆。第四次增加投资，是生产10nm级DRAM芯片。

根据最新的消息显示，此次三星受损的闪存产线是Line 12，主要生产2D NAND闪存，没有影响到主流的3D NAND闪存，所以不会对当前的主流闪存供应有多大影响。内存方面，受影响的是Line 13生产线，但也只是（相对）落后的20nm工艺，三星这两年的重点已经转向了1X、1Ynm及最新的1Znm工艺，20nm工艺的内存占比较小。至于三星的LSI逻辑芯片，断电影响的主要是CMOS图像传感器，主流的移动芯片也没什么影响。

资料显示，全球DRAM市场主要被三星（43.9％）、SK海力士（29.5％）和美光科技（23.5％）所垄断。而仅三星一家就占据了全球43.9%的DRAM市场。显然，此次断电事件对于DRAM市场的影响要大一些。

根据TrendForce的数据显示，目前三星的DRAM晶圆月产能为46.5万片。其中，三星华城园区工厂的DRAM晶圆产线Line 13产能就达到了9.5万片/月。

也就是说，如果以三星Line 13的DRAM产线全部停产3天来估算，就意味着DRAM晶圆供应可能将减少0.95万片。而根据此前的预计，整个2020年1月的DRAM晶圆供应将为129.5万片，此次事故减少0.95万片，就相当于减少了全球不到1%的DRAM产能供应。虽然看上去并不算多，但或将会对DRAM市场价格走势或许还是会带来一些影响。

数据显示，自2018年三季度以来，全球DRAM市场价格就出现了持续的下滑，累计下滑幅度高达65%左右。而DRAM市场价格的跌跌不休，也直接导致了三星、美光、SK海力士等DRAM大厂缩减了对于DRAM的资本支出，以期止住DRAM价格的下滑趋势，提升利润率。