随着去年年底合肥长鑫18nm DDR4内存的量产，国产内存终于实现了突破。而除了长鑫存储之外，紫光集团之下的长存储在成功量产了64层3D NAND闪存之后，也开始加速研发自己的DRAM内存芯片。

2019年6月30日晚间，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。随后，8月底，紫光集团又跟重庆市政府签署投资协议，宣布在重庆建设DRAM事业群总部及内存芯片工厂。

2019年11月15日，紫光集团宣布正式，任命前尔必达CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）为紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO，负责拓展紫光在日本市场的业务。

近日，据日经报道，坂本幸雄在采访中指出，在中国DRAM产业方面，设计部门和制造部门之间或制造部门内部，技术人员的合作有时并不充分。此外，与（中国崛起的）逻辑半导体相比，存储器的技术连续性更强，资深技术人员起重要作用，而这种技术人员也很缺乏。

然而据了解， DRAM制造需要高度的整合技术，新加入市场的难度很高。基于这方面原因，紫光集团计划通过集中招聘技术人员加以突破。

所以，坂本幸雄进一步表示，紫光集团自2月起就在日本招聘技术人员。另外在中国，紫光保有约200名来自奇梦达公司（Qimonda AG，2009年破产的德国大型DRAM企业）的设计技术人员。之后希望在中国有200名、在日本有100名技术人员。另一方面， DRAM的技术创新正在放缓，今后成本竞争力将成为商机。

说到未来规划，坂本幸雄还称，计划在重庆市建厂，力争3年后实现量产。首先要瞄准巨大的中国内需。

但同时需要注意的是，福建晋华作为中国DRAM开发的主要参与者之一，因此前美国司法部认为其窃取美光商业机密，因此受到禁运措施影响，难以采购美国设备。

对此，坂本幸雄表示，紫光集团为了避免这种情况，在推进开发时将加入法律专家。同时他补充说， “我认为中国的设备国产化需要10年时间，而按照紫光集团的运营策略，我认为没有无法采购生产设备的风险”。

编辑：芯智讯-林子