格芯宣布和美国国防部合作生产国防军用芯片

2月18日消息，美国释出积极鼓励国防芯片在地制造的讯息之后，各大晶圆代工厂抢单战随之开打。台积电、三星陆续抢进美国制造之后，全球第四大晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）也宣布，和美国国防部合作，将在2023年开始在美国纽约Fab 8厂区生产国防军用芯片。

台积电2020年5月率先和美国联邦政府及亚利桑那州共同宣布，将在美国设立第二个生产基地，今年动工后，目标2024年开始量产，2021年至2029年专案投资120亿美元，目标该厂5奈米制程的月产能为2万片12吋晶圆。

虽然台积电并未宣布当地制造的合作对象，不过，业界盛传是配合美国客户在当地国防工业芯片的在地制造需求。

不让台积电专美于前，三星与格芯近期都积极在美国展开购地扩产布局，三星去年底已经向德州提出申请奥斯汀十年期投资约170亿美元，主要用于扩产。

依据三星向德州提出的文件资讯，业界分析，从三星规划来看，推估该新厂制程也会是5奈米以下的先进制程生产，外传计划最大月产7万片，终端应用是国防相关伺服器所需芯片生产。

在台积电、三星之后，格芯也宣布美国的购地扩建新计划。格芯将和美国国防部建立战略合作关系，格芯计划在新的供应协议之下，由美国纽约Fab 8厂区购地扩建、并完成认证后，2023年开始出货首批国防专用芯片。

格芯指出，该公司过去和美国国防部合作已久，包含在旗下美国佛州Fab 9与纽约的Fab 10生产其他地面设施所需芯片，此次合作协议扩及至国防、航太与其他敏感应用芯片所需。

依据美国国防部声明，与格芯的协议是最近参议院多数党支持的《美国CHIPS法案》的初步进展，该法案主要是支持与加强美国国防供应链半导体芯片的制造能力。（经济日报）

相关文章: