6月29日消息，根据韩国媒体《ETNews》 报导，韩国存储大厂SK 海力士将针对2 月份才落成的M16晶圆厂，投资8,000 亿韩元(约合人民币45.75亿元) 的金额，用以增加生产设备，其中包括极紫外线(EUV) 光刻机，以预计在2021 年底前达到每月量产1.8 万片12 吋晶圆的目标。

报导指出，根据韩国供应链人士的说法，SK 海力士M16 晶圆厂预计投资8,000 亿韩元采购包含EUV 光刻机在内的生产设备，以期望在2021 年第3 季达到每月量产8,000 片晶圆，第4 季再增加10,000 片晶圆的产能，而目前正在与供应商进行设备采购的时间规划。根据SK 海力士之前在财务会议上所公布的消息指出，针对M16 晶圆厂的量产计划，是将部分2022 年的规划提前到2021 年来进行，原因是在于要因应当前全球存储芯片供应吃紧的情况。

SK 海力士的M16 晶圆厂位在南韩京畿道利川市，在2018 年11 月动工，2021 年的2 月份落成，是SK 海力士旗下最新的晶圆厂，总投资金额达到3.5 兆韩元(约合人民币200.17亿元)。其中，将设立SK 海力士产线中的第一条EUV 技术产线。因为EUV 的光源较ArF 更短，更适合进行半导体生产过程中电路的微缩设计，如此以提高生产的晶片性能，并进一步提高生产效能。

报导进一步指出，根据市场研究及调查单位TrendForce 的资料显示，在当前DRAM供应吃紧的情况下，整体上半年DRAM 的涨幅已经达到20%。而且，第3 季的合约价格还将再上涨3%~8% 幅度的情况下，整体下半年的市况看好。因此，为因应这样的市场发展，SK 海力士积极针对M16 晶圆厂进行产能的规划，预计2021 年底能达到每月1.8 万片的产能之外，还准备在M16 厂进行第4 代10nm级(1a) 制程的DRAM 生产。目前SK 海力士虽然已经宣称开发出第4 代10nm级制程的DRAM，不过当前仍需要时间来提升产品生产的良率。

而SK 海力士提造布局M16 晶圆厂的量产计划，除因应市场的需求之外，另一原因就是抗衡是厂是竞争对手的竞争。虽然，韩国目前市占率领先的两家存储大厂——三星与SK海力士都准备在2021 年底前量产第4 代10nm级制程的DRAM。不过，排名第三的美国美光科技(Micron) 却已经在先前的6 月初宣布，正式出货第4 代10nm级制程的LPDDR4x 记忆体。这是美光在没有采用EUV 技术下所量产的产品，不论在推出时程及技术层次都明显领先三星与SK 海力士的情况之下，为避免领先的竞争优势被超车，所以SK海力士将借此来展现实力。

来源：technews