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9月15日消息，据碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称派恩杰）官方消息称，继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资，本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。

湖杉资本是一家半导体产业链的投资机构，专注于半导体技术驱动下的早中期及成长期产业链投资机会。派恩杰则是快速发展的第三代半导体功率器件设计及方案商，无论产品技术，还是市场布局，均具备与国际大厂一较高下的实力。派恩杰创始人黄兴博士表示：“湖杉资本资金的加持，对于派恩杰半导体来说如虎添翼，能帮助我们加快新产品研发速度以及全球一线客户Design in速度，保持技术领先优势，扩大市场影响力。”

派恩杰的SiC功率器件技术传承至IGBT发明者Dr. B. Jayant Baliga和发射极关断晶闸管（ETO）的发明者Dr. Alex Q. Huang，开模量产则是由全球第一家提供150mm SiC工艺的代工厂X-FAB提供，产品品质及供货均有保障。目前，在海内外已有一线客户导入使用。

据公开资料显示，派恩杰已量产50余款SiC SBD、SiC MOSFET功率器件及模块，广泛应用于新能源、智能电网、物联网、电子电力等领域，具体包括新能源汽车储能/充电桩、大数据中心、超级计算与区块链、5G 通 信基站、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器。其SiC MOSFET 650V-1700V电压平台产品齐全，HDFM 值优于行业水平50%以上，短路能力及门极抗干扰能力达到国际一流水平，栅氧可靠性达到车规级标准，比国内同行领先两代以上(3-5年)。

虽然SiC行业契合国家新基建战略，发展迅速，但前10位尚无中国企业。对此，湖杉资本投资总监孙震先生说：“化合物半导体SiC和GaN是第三代半导体材料的代表，也是未来能源、工业、智能制造等重要领域的基础。对于我国来说，SiC战略地位十分重要，而现有SiC器件市场被国外企业占据，国产SiC产品肩负着弯道超车、摆脱该领域卡脖子技术限制的国家使命。值得庆幸的是，SiC器件市场空间巨大，目前国产SiC材料公司已经取得了较大的成果。在SiC功率器件方面，派恩杰凭借技术及经验优势，也已经走在了国内同类公司的前列，即使是与国际巨头相比，产品布局和器件性能也不遑多让。据我们了解，2020年初，派恩杰就开发验证了1700V工业级 SiC MOSFET产品，和国际巨头节奏同步。2021年初，成功开发验证了1200V大电流车规级的SiC MOSFET产品。派恩杰拥有关键的核心技术，和国内竞争对手相比，产品有先发优势，在供应链方面也有战略布局，产品系列全面，成立三年时间就规模化应用于汽车、新能源。综上，湖杉资本看好派恩杰公司在SiC器件领域国内的领先地位，也会坚定持续支持公司发展。”

对于国内的SiC功率器件公司仍处于技术研发阶段，尚未形成销售规模。派恩杰市场与销售副总裁高治廷先生表示：“这对于派恩杰来说既是挑战又是机遇，派恩杰在亚洲、欧洲和北美都已经设有营销中心，我们的市场及销售团队是来自Tier 1 欧美、日本原厂的高级别资深市场及销售团队。我们正在加快建立全球营销网络，争取成为在海内外市场最大份额的中国SiC 品牌。湖杉资本的加入对于我们加速全球销售网络覆盖提供了强有力的后盾。”