英特尔宣布于9月24日举行美国新晶圆厂奠基仪式

2021年09月23日

9月23日消息，根据处理器龙头英特尔(intel) 官方公布的信息指出，英特尔将在美国亚利桑那州兴建的两座新晶圆厂，预计9月24 日进行动土奠基仪式，届时英特尔CEO Pat Gelsinger 将会亲自到场出席活动。

今年年3月，在主题为“英特尔发力：以工程技术创未来”的全球直播活动中，英特尔CEO Pat Gelsinger 分享了IDM 2.0 的愿景，重启晶圆代工业务，为大规模扩大产能，英特尔还宣布投资约200 亿美元在美国亚利桑那州的Octillo 园区兴建两座新的晶圆厂。

该计划在经过了半年的准备时间之后，英特尔正式宣布将于9 月24 日举行新晶圆厂建造的动土奠基仪式，Pat Gelsinger 将与当地主要政府官员出席这次活动，这也将是美国亚利桑那州历史上最大规模的私营企业投资计划。

英特尔表示，凭借其IDM 2.0 的策略，英特尔将致力于投资制造能力，以支持全球对半导体大幅成长的需求。而公司计划在亚利桑那州的Ocotillo 园区建造的两座新的先进制程晶圆厂将支持英特尔产品不断扩大的需求，并为代工客户提供承诺的产能。

因为呼应美国要让半导体制造重返美国的计划，晶圆代工龙头台积电就率先宣布，将在美国亚历桑纳州凤凰城斥资120 亿美元兴建以5nm制程为主的晶圆厂。台积电日前指出，目前该厂已进入动土施工阶段，而相关员工也来台积电极进行训练当中，而依照规划时程，该厂将在2024 年开始进行大规模的量产。

而除了台积电之外，三星也已确定在美国兴建第二座晶圆厂，新厂地点将落脚美国德州三星第一座晶圆厂的附近，预计斥资170 亿美元的金额。另外，该厂的最新市场消息，三星将导入闸极全环电晶体（Gate-all-around，GAA）技术，并自2026 年开始进一步量产，企图以技术填补量产时间的落后，企图弯道超车台积电。