5月20日消息，鸿海与国巨今日共同宣布，参与合资公司国创半导体 31 亿元的增资计划，鸿海将持有国创增资后 51% 股权，国巨及其关联企业则持有 49% 股权，而国创半导体同步宣布以 28.868 亿元新台币参与功率元件厂“富鼎先进”的私募，取得 3500万股，最终持有富鼎先进的 30.08% 股份，成为最大股东。

在国创半导体增资完成后，董事长、副董事长职务将分别由鸿海董事长刘扬伟、国巨董事长陈泰铭担任，并借由国创半导体的投资，与富鼎先进进行策略结盟。富鼎先进齐全的MOSFET 产品线拥有超过1000 个规格产品，将补足国创半导体在IC 产品策略蓝图的关键一环，并与国创半导体发展的电源管理IC、SiC 元件模组相互搭配。

鸿海董事长刘扬伟表示，半导体作为鸿海 3＋3 策略发展进程，预计将透过鸿扬SiC 晶圆厂与BOL（Build-Operate-Localize）推展区域晶圆产能合作，MCU/SoC 与车厂的合作，以及国创半导体的模拟IC 及功率半导体，并透过富鼎一次备齐低中高压Si MOSFET 产品线。

国巨董事长陈泰铭说，国创与富鼎的结盟就是为了抓住类比IC 及功率半导体未来的契机，相信一旦产品准备就绪，就可以快速布局到国巨的全球通路及客户的手上，符合国巨对全球客户提供更完整的全方位零组件解决方案的策略。

国创半导体为总部设在新竹竹北的芯片设计公司，由鸿海和国巨合资成立，主要是设计、开发、生产用在车用、通信、工控应用的模拟IC 与功率元件，主要是服务策略性系统客户与通路客户，鸿海在全球EMS 市占超过 40%，拥有全球一线品牌客户；国巨是全球前三大被动元件供应商。

由于鸿海与国巨的客户都需要数量庞大的模拟IC 与功率半导体，正是双方合资成立晶片设计公司国创的初衷，而国创正透过自有设计，并与其他半导体大厂在产品设计、制程产能、销售通路上展开多元合作，增强类比IC 及功率元件产品线，为双方未来发展新兴产业，稳定提供半导体供应来源。

编辑：芯智讯-林子  来源：technews