5月18日消息，三星在去年12月发布了全球首款传输速率高达7.2Gbps的12nm级DDR5 DRAM内存芯片，今天，三星正式宣布已大规模量产12nm DDR5 DRAM芯片。

根据三星官方的说法，该12nm DDR5 DRAM芯片采用了新的高介电（high-k）材料，以增加电池电容，并进一步改善关键电路特性专利设计技术达成。结合先进的多层极紫外 (EUV) 光刻技术，新型 DRAM 具有业界最高的芯片密度，可将晶圆生产率提高 20%（即同样的一片晶圆，由于单个芯片尺寸缩小，因此可以多生产20%的芯片）。同时，该DRAM芯片传输速率高达7.2Gbps，并且能耗相比上一代的DRAM还要低23%。

三星表示，其12nm DDR5 DRAM凭借卓越的性能和能效，能够成为下一代计算、数据中心和人工智能驱动系统等领域可持续运营的基础。

编辑：芯智讯-林子