12月28日消息，近日，存储芯片大厂SK海力士在介绍2024年储存产品线的时候对外确认，将于2024年启动下一代HBM4的开发工作，为数据中心和人工智能产品提供助力。其实，在2023年第四季度，三星和美光就已先后确认正在开发HBM4，预计分别在2025年和2026年正式推出。

HBM已经经过5个世代的发展，其中在HBM3E是HBM3的扩展版本，而HBM4将是第6代产品。SK海力士表示，HBM3E会在2024年进入大量生产，而启动HBM4的开发工作代表着HBM产品的持续发展迈出了重要的一步。

此前有报道指出，下一代HBM4设计会有重大的变化，內存堆叠将采用2048位接口。事实上，自2015年以来，每个HBM堆叠都是采用1024位接口。因此，将位频宽翻倍是HBM內存技术推出后最大的变化。如果HBM4能保持现有的接脚速度，代表着带宽将从现在HBM3E的1.15TB/s，提升到2.3TB/s的水准，提升会相当明显。

另外，预计HBM4在堆叠的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠之外，2027年还将有16层垂直堆叠的产品。同时HBM还会往更为定制化的方向发展，不仅将安装在SoC主芯片旁边，部分还会转向堆叠在主芯片之上，为其提供更大的助力。

编辑：芯智讯-林子