2月5日消息，据韩国媒体The Elec引述业界消息指出，为增强先进封装代工能力，三星开始导入混合键合（hybrid bonding）技术，预计用于下一代X-Cube、SAINT等先进封装。

报道称，目前应用材料和贝思半导体正在三星韩国天安园区安装混合键合设备，天安园区也是三星先进封装生产基地。韩国产业官员也表示，目前是在建设一条生产线，设备是用于非內存芯片的封装。

据了解，混合键合与现有键合方法相比，可提高I/O和布线长度。三星最新投资是为了加强先进封装能力，推出采用混合键合的X-Cube。业界猜测，混合键合也可应用于三星今年开始推出的SAINT（三星先进互连技术）平台，包括三种3D堆叠技术，即SAINT S、SAINT L和SAINT D。

其中，SAINT S是将SRAM垂直堆叠在CPU等逻辑芯片上；SAINT L是将逻辑芯片堆叠在逻辑芯片，或应用处理器（AP）堆叠；SAINT D则是DRAM和CPU、GPU等逻辑芯片垂直堆叠。

据了解，晶圆代工龙头台积电的SoIC（系统整合芯片）也是提供混合键合的3D封装服务，设备同样也是由应用材料和贝思半导体共同提供。英特尔也将混合键结技术应用在其3D封装技术Foveros Direct，并于去年商业化。

业界预期，三星对混合键结设施的投资有望赢得NVIDIA和AMD等大客户青睐，因为无晶圆厂客户对混合键结需求正不断增加。

编辑：芯智讯-林子