3月27日消息，根据《华尔街日报》的报导，韩国存储芯片大厂SK海力士计划投资约40亿美元在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，并计划于2028年投产。

报道援引据知情人士的消息报道称，SK海力士董事会预计很快就会批准这一决定，此举将推动美国政府恢复美国半导体制造大国领先地位的雄心，芯片封装厂完成之后，将可为当地创造约800~1000个新工作职缺。

根据公开数据显示，SK海力士计划兴建的封装厂将毗邻普渡大学。普渡大学是美国最大的半导体和微电子工程计划之一的所在地。消息人士称，SK海力士还曾考虑过亚利桑那州，因为亚利桑那州已经有台积电和英特尔都在该地设立了晶圆厂。但考虑到能够就由普渡大学获得半导体工程师人才库的优势，SK海力士最终选择了印第安纳州。

对此传闻，SK海力士在一份声明中表示，公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划，但尚未作出决定。

此前的报导指出，先进封装是拜登政府芯片法（U.S. Chips Act）重视的其中一环。根据研究机构SemiAnalysis的说法，SK海力士的工厂有望成为全美第一座HBM大规模封装厂。SemiAnalysis最新估计，SK海力士的HBM位市占约为73%，三星电子（Samsung Electronics）居次、达22%，而美光（Micron）排名第三、约为5%。

编辑：芯智讯-林子