4月12日消息，据韩国媒体据Kedglobal报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司将于本月晚些时候开始批量生产 290 层第九代垂直 (V9) NAND 芯片，以引领行业向高堆叠高密度闪存过渡的竞争对手。另据业内消息人士于本周四表示，随着人工智能时代对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出 430 层 NAND 芯片。

据了解，V9 NAND是继三星当前旗舰236层V8 NAND产品后的一款尖端产品，将会达到290层，主要面向大型企业服务器以及人工智能和云设备。消息人士称，V9 NAND 的重要之处在于三星利用了其双堆栈（double-stack）技术，以实现更简单的工序和更低的制造成本。

而在预计明年推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。由于技术限制，三层堆叠（triple-stack ）或三层单元（triple-level cell ）技术被广泛认为是制造约 300 层芯片的最常用方法。不过这也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性。SK 海力士明年量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构 。

半导体行业研究机构 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步提升堆叠方面的优势。

编辑：芯智讯-林子