良率已接近N3E,台积电N3P将按计划在下半年投产

传台积电今明两年先进封装产能已被预定一空!-芯智讯

5月16日消息,据台媒报道,晶圆代工大厂台积电近期分享了其3nm(N3)家族的最新进度,相对于N3E来说,N3P将进一步提高性能效率和晶体管密度,目前的良率也已经接近N3E,将按原订计划于今年下半年投产。

据介绍,最初的N3(又名N3B)生命周期较短,苹果是唯一主要客户。N3E制程为N3B宽松版本,取消一些EUV层,也牺牲一些晶体管密度,但有助于降低生产成本,并扩大制程窗口(process window)和良率。N3E已按计划于去年第四季开始量产,目前N3E的D0缺陷密度与N5相当,已经有多家大客户采用,相关客户产品都有出色产量表现。对台积电客户来说,他们都能相对较快地从改进制程中获益。

至于计划今年下半年量产的N3P制程,台积电表示,N3P已经完成认证,良率表现已接近N3E。在相同漏电率下,N3P制程能提高4%性能,或在相同主频下功耗降低9%,整体晶体管密度提高了4%。

由于N3P是N3E光学微缩版,IP模块、制程规则、电子设计自动化(EDA)工具和设计方法等都与前者兼容,因此台积电预计大多数新推出的芯片Tape-Out将使用N3P,而非N3E或N3,因为N3P成本比N3低,性能效率却比N3E高。

台积电高管指出,目前已成功交付N3P技术,也通过认证,良率、性能接近N3E。该技术也获得产品客户下线,预计下半年开始生产。由于N3P的优势,预期N3上大部分客户的新产品将转至N3P制程。

编辑:芯智讯-浪客剑

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