高通骁龙835/660细节曝光,将成中高端手机市场主力

高通骁龙835/660细节曝光,将成中高端手机市场主力

高通不久前刚宣布了骁龙653、骁龙626、骁龙427三款中低端新品,最近又正式公布了下一代旗舰骁龙835,现在骁龙835的细节参数终于曝光,此外全新的骁龙660也被曝光。

骁龙835参数曝光

根据爆料称,骁龙835的编号为MSM8998(骁龙820/821 MSM8996/MSM8996 Pro),将会采用升级版64位自主架构Kyro 200,并且是四大、四小的八核设计,但具体频率不详。

集成GPU核心升级为Adreno 540,基带则是LTE X16,最高支持LTE Cat.16,理论下载速度高达1Gbps,上传也有150Mbps。

另外,骁龙835还会支持四通道LPDDR4X-1866内存(联发科Helio P20首发)、UFS 2.1存储(麒麟960首发/骁龙660也会用)。

骁龙835将在2017年第一季度量产,首发的是三星新旗舰Galaxy S8,明年二月底的MWC 2017大会前发布,而国产机型将在明年年中跟进。

骁龙660将采用Kyro自主架构

此外根据最新爆料,在2017年担当高通中端主流市场主力的,将是全新的骁龙660。

骁龙660产品编号MSM8976 Plus(骁龙652 MSM8976、骁龙653 MSM8976 Pro),看起来变化不大,但其实有着全面甚至本质性的提升。

骁龙660将采用三星14nm LPP工艺制造(骁龙652/653还是台积电28nm),八核心,极可能会全部采用Kyro自主架构(骁龙600系第一次),不过实际也可能是A73+A53的组合(那就类似华为麒麟960),大小核部分频率分别为2.2GHz、1.9GHz。这简直就是逼死骁龙820的节奏。

GPU部分集成新的Adreno 512,也是相当的高级,最高支持2K屏幕分辨率。

此外,骁龙660还会支持双通道LPDDR4X-1866内存、UFS 2.1存储、2400万像素双摄像头(Heagon II DSP),集成基带最高支持LTE Cat.10和三载波聚合,理论下载速度450Mbps。

骁龙660将于2017年第二季度投入量产,迎战明年暑期档,OPPO、vivo均已确定采用。

编辑:芯智讯-林子

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