7月2日消息，美国存储芯片大厂美光（Micron）于6月5日宣布，预计2025自然年，其HBM市占率将与美光的DRAM市占率相当，达到约为20-25%。可以说美光的豪言也给另外两家HBM大厂SK海力士和三星带来了一些竞争压力。

据韩国媒体BusinessKorea报道，韩国DRAM大厂SK海力士的8层堆叠HBM3E产品在今年3月已经开始量产并交货，三星随后在今年4月也已经量产。紧接着，SK海力士于4月底宣布在今年第三季完成12层HBM3E开发，2025年供货，但一周内就修改计划，宣布提早于今年5月提供样品，并在今年第三季度量产。

根据韩国市场人士说法，SK海力士的此举是受到了美光积极的HBM策略的影响。在今年第二财季电话会议上，美光就表示，其HBM供不应求，2024年已销售一空，2025年的绝大多数供应也已经分配完毕。随后在第三季财报电话会议上，美光宣布该财季内其第五代HBM（HBM3E）营收已经超过1亿美元，并预计下一财年，美光的HBM年收入可能高达“数十亿美元”，并计划在2025年将其HBM市占率提高到20-25%。

而为了应对HBM市场的强劲市场需求，美光此前还上调了2024财年的资本支出金额，预计从75~80亿美元（约台币2,395亿元~2,550亿元），提升到80亿美元，主要是为了投资HBM产能。

目前9% HBM市占的美光，正在考虑将马来西亚工厂转为HBM专用生产线，扩大台中HBM产线。美光日本新广岛工厂将为HBM生产基地，巩固HBM市场主要供应者。随着高效能运算、人工智慧应用和GPU需求持续成长，HBM市场竞争加剧，美光策略和HBM技术进步，成为SK海力士和三星的强大竞争对手。

面对美光的来势汹汹，韩国市场人士表示，三星HBM3E还未取得英伟达的认证，目标是第三季完成8层堆叠的HBM产品认证，第四季完成12层HBM产品认证。如果没有三星，全球HBM市场不可能有充足供应，三星今年也要将HBM供应量年增三倍以上，2025年增两倍多。三星已提供12层HBM样品，并2025年量产12层HBM3E。

目前已经拿下全球HBM市场53%市占率的SK海力士，原本计划在2026年量产12层堆叠第六代HBM（HBM4）提前到2025年，其韩国清州M15x工厂建立整合HBM产线，包括EUV（极紫外线）设备，2025年竣工，2026年第三季营运。

值得一提的是，SK集团于6月30日宣布，旗下SK海力士将投资103万亿韩元（约合747亿美元），计划在2028年之前进一步加强其面向人工智能存储芯片业务。据了解，其中约80%（即82万亿韩元）的投资将用于发展高带宽內存（HBM）芯片，以推动与AI芯片发展的配合。

编辑：芯智讯-浪客剑