台积电正在先进半导体工艺路上狂奔，目前主打16nm，正在开始量产10nm，两三年之内将陆续上马7nm、5nm。不过据台湾媒体报道，台积电还规划了一个12nm工艺。

16nm变身12nm？又玩数字游戏？

据爆料，台积电即将推出的所谓的12nm，其实是现有16nm工艺的第四代缩微改良版本，改用全新名字，目的是反击三星、GlobalFoundries、中芯国际等对手的14nm工艺优势，牢牢控制10-28nm之间的代工市场。毕竟台积电新的10nm就要出来了，这时候再花精力去开发真正的12nm似乎是没有太大的意义。

28nm时代开始，台积电就不断改版来降低成本或提升性能，以求压制竞争对手，比如说28nm工艺就先后有28LP、28HP、28HPL、28HPM、28HPC、28HPC+等众多版本。

如今的16nm经过持续改良之后，漏电率大为降低，成本也有极大改善，为此台积电将其重新命名为12nm，摇身一变成为独立的新工艺，自然更加诱人。

代工工艺进入FinFET时代以来，台积电16nm、三星14nm可谓棋逢对手，其实都非常优秀，但无论是技术还是数字，台积电都略微落后一些，因此在16nm发展到第四代，线宽微缩能力领先三星之后，12nm的出炉也就可以理解了。

而这样的数字游戏在半导体行业由来已久，最开始是三星在与台积电的竞争当中抢先将推出了14nm（实际上20nm工艺），所以随后台积电随后也被迫跟进玩起了数字游戏，相比之下，一直被称为挤牙膏的英特尔在命名规则上就规矩多了。

根据之前业内人士的爆料称，三星的14nm以及台积电的16nm等于英特尔的20nm，他们的10nm等于英特尔的12nm。看来台积电未来的7nm，也只比英特尔的10nm要好一点点。

这下GlobalFoundries尴尬了

今年9月，AMD宣布联合GlobalFoundries跳过10nm，直接进军7nm。随后，GlobalFoundries便推出12nm FD-SOI工艺参与市场竞争。

据了解GlobalFoundries推出的12nm FD-SOI工艺，是22nm FD-SOI工艺的后续，能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。该平台支持全节点缩放，性能比现有FinFET工艺提升了15%，功耗降低了50%。而掩膜成本则比少于10nm FinFET工艺减少40%！

此外12nm FD-SOI工艺将提供业界最宽泛的动态电压，通过软件控制晶体管能力可带来无与伦比的设计弹性，在需要时提供最高性能，静态时则会具备更高能效。

据了解GlobalFoundries正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDXTM工艺研发，预计2019年上半年有客户芯片流片。

可以看出，GlobalFoundries的12nm FD-SOI工艺相比目前的16/14nm还是有一定的优势的，但是推出时间相对较晚，要等等到2019年。而台积电的这个12nm本身就是16nm基础上的改良版，所以可能明年就会推出，并且相信届时会拿下不少客户。这下GlobalFoundries的12nm真的是尴尬死了。

总的来说，如果台积电真的推出这个“12nm”，将有助于其与三星、GlobalFoundries、中芯国际等厂商在10-28nm代工市场之间的竞争。不过不清楚三星是否会效仿台积电的做法也推出一个“12nm”。

另外，值得注意的是，大陆半导体厂商在完成28nm布局后，下一个目标将是卡位14nm，中芯国际预计2020年前量产14nm，华力微电子也规划投产。

另据了解，台积电7nm将同时推出两个不同版本，分别针对移动设备、高性能计算，满足不同用户需求。

编辑：芯智讯-浪客剑