今年2月底，英特尔高级首席工程师史蒂夫·卡森 (Steve Carson) 在本周于圣何塞举行的 SPIE 先进光刻会议上宣布，英特尔已在两台已安装的High NA EUV光刻机上曝光了 30,000 片晶圆。与此同时，比利时微电子研究中（Imec）还演示了使用单次曝光High NA EUV 光刻技术对 20nm 间距金属化线结构进行电气测试。测试结果显示“电气良率”超过 90%，表明随机缺陷数量较少。

△ Imec 20nm 间距金属线结构的 SEM 照片。来源：Imec

Imec 研发高级副总裁 Steven Scheer 评论道：“这些结果初步验证了High NA EUV 光刻及其周围生态系统的功能，包括先进的光刻胶和底层、光掩模、计量技术、变形成像策略、光学邻近校正以及集成图案化和蚀刻技术。” 英特尔有望成为首家将High NA EUV 引入量产的半导体制造商。该公司去年宣布，这一举措将在 14A 节点实施，最早计划于 2026 年投入生产。

编辑：芯智讯-林子