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1月17日消息，日本半导体制造装置协会（SEAJ）近日上调了2024年度（2024年4月至2025年3月）日本制造的半导体（芯片）制造设备销售额（日系企业于日本国内及海外的设备销售额），有望首度冲破4万亿日元大关，创下历史新高纪录，并预估2026年度销售额将进一步冲破5万亿日元。

1月17日消息，台积电董事长魏哲家在16日的法说会上指出，台积电2nm（2N）和A16技术在解决节能计算需求领先业界，所有创新者都在与台积电合作。台积电N2将如期在2025年下半年进入量产，N2P和A16将于2026年下半年量产，为智能手机和HPC应用提供支持。

在2024年12月23日，美国拜登政府要求美国贸易代表办公室对中国以基础半导体（也称为传统或成熟制程芯片）主导地位的目标以及对美国经济的影响发起301条款调查之后，近日，中国也计划对美国成熟制程芯片倾销问题展开调查。

当地时间1月16日，电源、汽车和物联网半导体领域的领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门，将现有的传感器和射频（RF）业务合并为一个专门的组织，以推动公司在传感器领域的发展。新的业务部门SURF（传感器单元和射频）将成为电源和传感器系统（PSS）部门的一部分，并包括以前的汽车和多市场传感与控制业务。

1月16日晚间，国产氮化镓大厂英诺赛科发布公告称，本公司及本公司之全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（后者简称“英诺苏州”，二者统称“原告”）已向中国江苏省苏州市中级人民法院起诉英飞凌科技（中国）有限公司（以下称“被告一”）、英飞凌科技（无锡）有限公司（以下称“被告二”）及苏州芯沃科电子科技有限公司（以下称“被告三”），就202311774650.7号专利提交起诉状《（2024）苏05民初1430号》，及就202211387983.X号专利提交起诉状《（2024）苏05民初1431号》（统称“起诉状”）。

1月16日消息，三星在第二代3nm GAA制程上遭遇良率过低的消息早已不是新闻，有报道称其目前良率仅20%，远不及其当初定下的70%良率的目标，这也使得其自研的Exynos旗舰芯片遭遇了难产。相比之下，台积电最新的2nm制程据说良率已达60%。