日期 2024 年 4 月 10 日

世纪金芯宣布突破8英寸SiC关键技术

4月9日,合肥世纪金芯半导体有限公司宣布,基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累,突破了8英寸SiC关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。