日期 2024 年 8 月 21 日

SK海力士开发下一代HBM标准,性能将提高30倍

8月21日消息, 在SK Icheon Forum 2024论坛上,存储芯片大厂SK海力士副总裁Ryu Seong-su宣布,该公司正计划开发一种新的HBM内存标准,该标准将比现代HBM产品快最多30倍,以期在竞争激烈的HBM市场中获得领先地位。

美国MEMS制造商获670万美元芯片法案补贴,产能将提升2倍

据Tom's Hardware、EE Times报道,近日,MEMS(微机电系统)制造商Rogue Valley Microdevices最近与美国商务部签署一份不具约束力的协议,将获得《芯片与科学法案》670万美元的补贴,以扩充其位于佛罗里达州棕榈湾的MEMS与传感器代工厂,使产能增加近2倍。另外,该公司还有一座位于俄勒冈州Medford的原有厂房,虽然已达设计产能,但预期扩建后可进行急需的升级。