日期 2024 年 9 月 5 日

IGBT发明者获得100万欧元奖金

9月5日消息,美国北卡罗来纳州立大学的 Bantval Jayant Baliga 教授因发明绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 而获得 2024 年千禧年技术奖。该奖项奖金为 100 万欧元,由芬兰技术学院监督,于 2004 年首次颁发。
最后期限已至,台积电等数十家半导体企业已向美国提交资料-芯智讯

台积电CoWoS产能将提升4倍,台企抱团发展先进封装生态

9月4日,在SEMICON Taiwan 2024展会上,台积电营运/先进封装技术暨服务副总何军在展会期间举办的“3D IC/CoWoS驱动AI芯片创新论坛——异质整合国际论坛系列活动论坛”上指出,为应对强劲的客户需求,台积电正火速扩充先进封装产能,预期CoWoS产能到2026年都会持续高速扩产,在2022年至2026年产能年复合成长率将达50%以上,也就是说4年间产能将提升至2022年的5倍,实际增长约4倍。

中国大陆8家半导体大厂被调查!

9月4日消息,据台媒报道,近日,中国台湾当局指控8家中国大陆半导体厂商违反当地法律,非法从台厂挖走工程师,并获取专有技术,以提高其半导体生产能力。新竹地检署搜索30处、传唤到案65人次。

力积电Logic-DRAM技术获AMD等多家大厂采用

9月4日,晶圆代工厂商力积电宣布,AMD等美国及日本厂商将以力积电Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术,结合一线晶圆代工厂的先进逻辑制程,开发高带宽、高容量、低功耗的3D AI芯片,为大型语言模型AI应用及AI PC提供低成本、高效能的解决方案。