日期 2024 年 12 月 4 日

业界

产能过剩！Microchip放弃1.62亿美元芯片法案补贴！

12月4日消息，美国微控制器（MCU）及模拟芯片大厂微芯科技（Microchip）已暂停申请美国“芯片法案”的补贴，成为了第一家退出的已获美国“芯片法案”补贴资格的公司。

2024年12月4日

业界

Manz亚智科技RDL制程打造CoPoS板级封装路线，满足FOPLP/TGV应用于下一代AI需求

2024 年12月4日，活跃于全球并具有广泛技术组合的高科技设备制造商Manz 集团，领衔全球半导体先进封装趋势，凭借在RDL领域的优势布局，针对RDL增层工艺搭配有机材料和玻璃基板的应用，成功向多家国际大厂交付了300mm、510mm、600mm及700mm等不同尺寸的板级封装RDL量产线，涵盖洗净、显影、蚀刻、剥膜、电镀及自动化设备。同时，为跨领域客户快速集成工艺技术和设备生产，积极助力板级封装为基础的未来玻璃基板应用于人工智能芯片，让这一愿景变成现实。

2024年12月4日

业界

传SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4，三星考虑跟进

12月4日消息，据《韩国经济新闻》报道称，传闻韩国存储芯片大厂SK海力士（SK Hynix）应重要客户的要求，将于2025年下半以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽內存HBM4。

2024年12月4日

业界

台积电工程师爆料：2nm良率提高了6%，可为客户节省数十亿美元

12月4日，台积电将于明年下半年开始量产其2nm（N2）制程工艺，目前台积电正在尽最大努力完善该技术，以降低可变性和缺陷密度，从而提高良率。一位台积电员工最近对外透露，该团队已成功将N2测试芯片的良率提高了6%，为公司客户“节省了数十亿美元”。

2024年12月4日

业界

三星将推出400+层第10代V-NAND

12月4日消息，据Tom's hardware报道，三星将在即将举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新的超过400层3D NAND Flash，接口速度为5.6 GT/s。

2024年12月4日

业界

英特尔推出全新英特尔锐炫B系列显卡

12月3日，英特尔发布全新英特尔锐炫B系列显卡（代号Battlemage）。英特尔锐炫B580和B570 GPU将以备受玩家青睐的价格提供卓越的性能与价值，很好地满足现代游戏需求，并为AI工作负载提供加速。其配备的英特尔Xe矩阵计算引擎（XMX），为新推出的XeSS 2提供强大支持。XeSS 2的三项核心技术协同工作，共同提高性能表现、增强视觉流畅性并加快响应速度。