世纪金芯宣布突破8英寸SiC关键技术

4月9日,合肥世纪金芯半导体有限公司宣布,基于设备、工艺、热场、原料、结构设计等多方面的长期技术积累,突破了8英寸SiC关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。

缺乏美国政府资助,应用材料或将放弃40亿美元在硅谷建研究中心计划

据《旧金山纪事报》于当地时间周一(4月8日)援引知情人士的消息报道称,美国半导体设备大厂应用材料公司(Applied Materials, Inc.)可能因缺乏政府投资而缩减或取消原计划在硅谷建设的价值40亿美元的研发设施。此前,拜登政府于3月29日宣布,将不再提供对半导体研发设施建设和改造的资助。