三星、SK海力士高管遭遇降薪,上半年降幅达30%

三星/SK海力士/美光等涉嫌操控DRAM芯片价格,在美国遭遇集体诉讼
8月16日消息,据《韩国先驱报》报道,在遭遇了去年存储芯片市场需求下滑、业绩大跌之后,虽然今年存储芯片市场全面回暖,但是韩国高薪资的存储芯片企业三星电子、SK海力士的高管目前仍面临大幅减薪的窘境,减幅达20~30%。

传三星将抢先台积电拿到High NA EUV光刻机

英特尔完成首个商用High NA EUV光刻机组装,为Intel 14A工艺开发做好准备
8月16日消息,据韩国首尔经济日报报道,三星将于2024年第四季度到2025年第一季在韩国华城园区开始安装首套High-NA EUV,预计2025年中启用,首先会用于开发2nm以下逻辑制程,以及先进的DRAM芯片制程。三星也计划与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作,打造High-NA EUV生态系统。

思科宣布全球裁员7%!

8月16日消息,网络设备巨头思科近日在提交给美国证券交易委员会(SEC)的一份文件中证实,正在着手实施重组计划,将裁减全球7%的员工。

台积电38亿元买下群创南科5.5代面板厂

8月15日,台积电发布公告称,已与群创签订合约,购买群创位于台南市新市区环西路一段3 号的厂房及附属设施(南科四厂),建物面积为9 万6027.09 坪,总交易金额为新台币171.4 亿元(约合人民币38亿元),取的目的供营运与生产使用。

2024年第二季DRAM产业营收环比增长24.8%,预计第三季合约价将上调

8月15日消息,根据TrendForce集邦咨询调查,受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长,2024年第二季整体DRAM(内存)产业营收达229亿美元,季增24.8%。价格方面,合约价于第二季维持上涨,第三季因国际形势等因素,预估Conventional DRAM(一般型内存)合约价涨幅将高于先前预期。

中科院研发出新型“热发射极”晶体管:功耗降低、性能提升!

8月15日消息,据央视新闻报道,近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路。

SiFive推出高性能RISC-V数据中心处理器P870-D,性能与Arm Neoverse N2相当

2024年8月14日,知名RISC-V IP设计厂商SiFive宣布推出面向数据中心的高性能处理器IP—— SiFive Performance  P870-D ,以满足客户对高度可并行化基础设施工作负载的需求,包括视频流、存储和 Web 设备。当与SiFive Intelligence产品系列的产品结合使用时,数据中心架构师还可以为AI驱动的应用程序构建极高性能、高能效的计算子系统。