业界 中芯国际将使用40nm工艺为Crossbar代工全新PRAM内存 日前,中芯国际与Crossbar公司成功签署了一项合作协议。协议的内容包括,中芯国际将使用40nm工艺为Crossbar代工PRAM阻变式存储器芯片,这项协议的签署代表中芯国际成功进军下一代内存产业。2016年3月15日
业界 中芯国际28nm HKMG工艺成功流片,携手联芯打造手机SoC 中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)今天宣布,28nm HKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。2016年2月16日