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SK海力士宣布业内首款4D闪存:512Gb TLC、年末出样

长江存储发布3D NAND新架构Xtacking;SK海力士推出全球首款4D NAND

近日,在美国举办的Flash Memory Summit(闪存技术峰会)的首日Keynote上,长江存储(Yangtze Memory Technology,YMTC)压轴出场,推出了其最新的3D NAND架构Xtacking,I/O接口的速度提升到了3Gbps,吸引了外界的极大关注。不过在长江存储演讲之前,海力士则公布了更为令人惊叹的4D闪存技术。
一文看懂国产存储芯片产业的现状与未来!

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虽然国产存储产业与国外三星等巨头相比仍有较大差距,但是发展国产存储器确实是刻不容缓的一件大事,因为存储产业不仅关乎国家半导体产业发展,更关乎国家信息存储安全。而国产存储芯片厂商能够在短时间内取得一些成绩也是非常值得肯定的。

长江存储芯片生产机台进场安装,中国首批32层3D NAND闪存芯片年内量产

4月11日上午9:30,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。